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Module 2MBI150HB120-50 transistor IGBT double pour onduleur et variateur

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Module de puissance IGBT double pour applications industrielles

Le composant électronique 2MBI150HB120-50 s'impose comme une solution robuste pour la commutation de forte puissance. Ce module IGBT bipolaire à grille isolée intègre deux interrupteurs haute performance dans un seul boîtier, simplifiant ainsi la conception de vos circuits de puissance. Conçu pour supporter des exigences thermiques élevées, il garantit un hachage de courant fluide et sécurisé pour vos installations électriques.

Spécifications et performances électriques

Ce semi-conducteur de puissance répond aux exigences de tension et de courant des structures de conversion d'énergie. Sa configuration en demi-pont permet une gestion optimale des phases électriques.

Caractéristique techniqueValeur nominale
Tension collecteur-émetteur (Vces)1200 V
Courant collecteur continu (Ic)150 A
Configuration interneDual IGBT (Demi-pont)
Technologie de puceFaibles pertes de commutation

Optimisation des systèmes de conversion énergétique

L'intégration de ce composant permet de réduire considérablement l'encombrement dans les armoires électriques. Grâce à sa base isolée, le transfert thermique vers le dissipateur est maximisé, ce qui prolonge la durée de vie globale du système. Les pertes par conduction sont minimales, améliorant le rendement énergétique de chaque cycle de conversion.

Champs d'application cibles

  • Variateurs de vitesse pour moteurs électriques triphasés.
  • Alimentations sans interruption (ASI / UPS) de grande capacité.
  • Onduleurs pour installations d'énergies renouvelables.
  • Systèmes de soudage industriel et chauffage par induction.

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