Le module IXFN48N50U2 se distingue par sa configuration technologique avancée, associant un MOSFET de puissance à une diode de commutation rapide. Cette architecture est idéale pour les ponts en H et les applications de commutation forcée.
Les valeurs suivantes illustrent la capacité de ce composant à supporter des environnements de travail exigeants.
| Caractéristique Principale | Spécification Établie |
|---|---|
| Modèle Actif | IXFN48N50U2 / IXFN48N50Q |
| Courant de Drain Id | 48 Ampères |
| Résistance Rds(on) | Faible perte conductrice |
| Type de Montage | Vis pour cosses sur boîtier rigide |
La géométrie du boîtier permet une connexion mécanique solide, indispensable dans les environnements soumis à des vibrations constantes comme les transports ou les lignes d'assemblage automatisées. L'absence de fils de câblage complexes réduit les inductances parasites.
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